物料詳細資料 
機理：依據硅、鍺單晶硅的轉至率、阻值率和硫氰酸鹽氧化還原電位的密切關系，可單獨測試、確定出多晶體內的硫氰酸鹽氧化還原電位。  
適用人群超范圍：它可以于估測橫縱剖面尺寸規格是可估測的，又很棒的寬度不低于橫縱剖面線度的有制度的長棒，列舉橫縱剖面為圓管、正方通形、長方通或半圓形的單晶體或多晶錠。  
妙用：選擇估測沿錠長硫氰酸鹽濃硫酸氨水濃度的分布不均現狀打算了產品的的符合標準位置，使用硫氰酸鹽濃硫酸氨水濃度的隨便估測，打算了硫化鋅植物的生長的過程中的夾雜數量統計。  
印刷品可在干燥或低溫下估測。  
呈現信息原則：分析儀器接PC機，在測試測試圖片軟件計算出，用多數坐標定位的原則來呈現信息不溶物氧濃度（含次方數）沿錠長的生長身材線性，可對身材線性圖實行直接打印和保持。  
校正比率： 可測單晶體阻值率：0.005-3000Ω·cm。  
電流(liu)阿拉伯(bo)數字電壓值表測量領域：0-199.99mV，靈敏性度：10μA。