* QT-2B半導體芯片設備技術管特征示圖儀可表明需求測量方法半導體芯片設備技術二**管、三**管的中頻整流參數設置,**大集電**電流大小可達到50A,一般做到工作功率500W下列的半導體芯片設備技術管的測試。
* 本設備還附有各類高壓的軟件檢驗保護裝置,可對5000V下的半導體設備管進行損壞交流電壓及反方向漏功率軟件檢驗,其軟件檢驗功率**高快速度達成0.5uA/度。
* 本器材所給出的基**階梯式性無線信號還具脈沖造成的階梯式性輸出電壓,從而可縮小檢測的比率及對三次損壞性質的檢測的。
* 本器材帶臺階偏置電壓降(△VB), -6V~+6V連著能調。獨特不適合大公率VMOS管自測。
1. 集電**感應電流偏轉常數
a) 集電**電壓電流依據(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔不確定度不于3%。
b) 二**管功率的范圍(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔精度并不超出3%。
c) 集電**瞬時瞬時電流及二**管瞬時瞬時電流系數×0.5,隨機誤差不高于10%。
d) 基**電流大小或基**源工作電壓0.1V/度,測量誤差并不嚴重于3%。
2. 集電**電壓值偏轉指數
a) 集電**輸出功率比率(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔計算誤差較小于3%。
b) 二**管直流電壓條件(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔差值面積不不超10%。
c) 基**相電壓空間(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔誤差度并不嚴重于3%。
d) 基**電流量或基**源交流電壓::0.05V/度,不確定度好高于3%。
3. 基**臺階警報
a) 階梯式工作電流規模(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔偏差很超過5%。
b) 臺階電壓值范圍內(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔不確定度面積不超過等于5%。
c) 結合熱敏電阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔誤差度太小于10%。
d) 臺階波形參數:分常規(100%)及單脈寬二檔。單脈寬臺階占空比調低條件為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續性可控。
f) 階梯式偏置相電壓(△VB):-6V~+6V,持續能調。
g) 梯階效用:分反復重復、關、累計三檔級。
h) 梯階復制粘貼:分一切正常、零電流大小、零的電壓三檔級。
i) 梯階**性:分正、負二檔。
4. 集電**掃描拍照交流電壓
a) 模擬輸出端電壓與檔級: 0~10V 正或負連繼調節
0~50V 正或負累計調節
0~50V 正或負間斷可以調整
0~100V 正或負連繼隨意調節
0~500V 正或負持續可調式
b) 傳輸交流電存儲量: 0~10V 50A(脈寬階梯式上班感覺時)
0~10V 20A(月平均)
0~50V 10A(評平均)
0~100V 5A (平衡值)
0~500V 0.5A(均衡值)
c) 耗電限定功率電阻: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔確定誤差較小于10%。
d) 整流途徑: 全波
e) 所在**性: +,-
f) 集電**容性直流電壓; 動平衡機后不高達2uA(10V檔)
g) 集電**漏電流; 動平衡后不超越2uA(10V檔)
5. 二**管測試裝制
a) 效果的電壓: 0~5000V 正在向連續不斷可手動調節
b) 傷害電壓存儲容量: **大幅5mA
c) 整流策略: 半波
6. 的
a) 更換器
油田測試座、三**管測試座、 最大功率三**管測試座
b) 體重 約30kg。
c) 形態面積
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 額定功率: 非試驗狀況時: 約80VA;
**大工率時: 約300VA。
e) 進入線電壓: 220V±10%;
f) 頻點: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 高效上班面8×10cm。
h) 電磁爐兼容模式
牽張反射干憂應不符合GB/T 6833.9中首位章的符合要求。
幅射干預應復合GB/T 6833.10中第22章的標準。
氛圍應非常符合GB/T 6587.1中Ⅱ級器材的規程,運輸車測試按2級

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