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了解晶閘管dv dt測試儀技術參數
點擊次數：559 更新時間：2018-01-05

可控硅dv dt試驗儀   主要參數：DBC-051 
1  概要  
本檢測設施是可控硅斷態電壓電流臨界狀態持續增長率dv／dt參數設置的測試英文設施。符合 
于各項飛速IGBT，平凡IGBT及雙相IGBT的因素測驗。本測驗儀規劃， 
組成正確，操作流程簡單。其探測操作過程遵循GB4024-83標準設定的設定。是電力工程半導體設備 
電子元器件 廠和安全使用工作單位zui為理想型的探測機械設備。  
2  技術設備主要參數  
2.1 zui大檢驗打印輸出電流：2kV  
2.2 斷態工作電壓臨介上漲率dv／dt衡量范圍圖：≤1000V／μs  
2.3 工作中能力  
電原：AC  220V±10%  50Hz  
高溫：0—40℃  
2.4 服務器功耗測試：少于100VA  
2.5 設備質量：約15Kg  
2.6 一整臺機(ji)器的面積：440×440×150mm 

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